Conçu pour répondre aux standards industriels les plus stricts, ce module double IGBT incarne la durabilité au sein des environnements de production intensifs. Sa structure interne intègre des connexions optimisées qui réduisent l'inductance parasite, garantissant une commutation propre et sans suroscillations destructrices pour vos équipements sensibles.
Chaque élément de ce module a été sélectionné pour sa résistance aux contraintes thermomécaniques. L'utilisation d'un substrat céramique à haute conductivité assure une isolation parfaite par rapport au dissipateur tout en maximisant le transfert de chaleur, ce qui évite le vieillissement prématuré des jonctions de silicium sous forte charge continue.
| Désignation du produit | 2MBI200S-120-02 |
| Tension Collecteur-Émetteur | 1200 V |
| Courant Permanent DC | 200 A |
| Structure interne | Pont de commutation avec diodes rapides |
| Température de jonction maximale | 150 degrés Celsius |
Ce module trouve sa place au cœur des onduleurs pour parcs photovoltaïques ou au sein des systèmes de stockage par batteries à grande échelle. Sa capacité à gérer des courants de 200 ampères permet de concevoir des modules de conversion compacts et hautement efficaces pour injecter l'énergie sur le réseau de manière fluide.
La vérification de votre environnement a échoué. Connectez-vous pour consulter les avis.
