Ce bloc de puissance regroupe des transistors bipolaires à grille isolée conçus pour supporter des tensions élevées et des fréquences de commutation rapides. Sa structure interne est optimisée pour minimiser la tension de saturation, garantissant un rendement énergétique supérieur.
La configuration interne permet une polyvalence maximale dans l'alimentation des charges inductives.
| Composant | Spécification nominale |
|---|---|
| Transistor IGBT | 1200V / 100A |
| Diode de roue libre | Fréquence rapide, faible recouvrement |
| Thermistance NTC | Intégrée pour suivi de température |
La présence d'une sonde de température NTC interne permet au système de contrôle de surveiller en temps réel l'état du module. Cette fonctionnalité prévient les surcharges thermiques en ajustant la fréquence de découpage si la température limite est atteinte, protégeant ainsi l'ensemble de la chaîne cinématique de l'usine.
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