Le BSM150GB170DN2 est un module de puissance de type IGBT double (transistor bipolaire à grille isolée) encapsulé dans un boîtier industriel hermétique et isolé. Ce type de composant combine les avantages de commande simple d'un MOSFET et la faible tension de saturation d'un transistor bipolaire.
Chaque commutateur du module est couplé en parallèle inverse avec une diode rapide, ce qui élimine le besoin de circuits d'écrêtage externes complexes lors du pilotage de charges inductives telles que les bobinages de moteurs ou les transformateurs.
| Caractéristique de Commutation | Valeur / Type |
|---|---|
| Technologie de Grille | IGBT avec diode rapide de roue libre |
| Nombre de Canaux | 2 canaux indépendants câblés en demi-pont |
| Entraînement de Grille | RG minimum de 10 Ohms recommandé |
| Robustesse aux courts-circuits | Haute tolérance industrielle |
Ce module garantit une intégration propre dans les conceptions de circuits imprimés de puissance ou les montages sur châssis, limitant l'encombrement global tout en maximisant l'efficacité de l'étage de sortie inverseur.
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